S obzirom na to da gotovo ne postoje istraživanja o uticaju rendgenskog zračenja na PIN fotodiodu, ovaj rad se bavi eksperimentalnim ispitivanjem njenog ponašanja pri izlaganju visokoenergetskom X-zračenju. Eksperimenti su realizovani u laboratoriji za zaštitu od zračenja i zaštitu životne sredine Instituta za nuklearne nauke „Vinča“, koristeći N-tip fotodiodu FD80N, proizvedenu u Institutu za hemiju, tehnologiju i metalurgiju u Beogradu.
Dioda je postavljena na specijalno dizajniranu pločicu, povezanu preko BNC konektora sa bipolarnim napajanjem i računarom, čime je omogućeno softversko upravljanje naponom inverzne polarizacije i prikupljanje podataka. Za svaku vrednost napona, dioda je izlagana rendgenskom zračenju tokom 20 sekundi, pri čemu su beležene vrednosti fotostruje. Eksperimentalni deo obuhvatio je ispitivanje zavisnosti fotostruje od inverznog napona polarizacije za:
- različitih kvaliteta snopova pri istoj udaljenosti,
- različitih udaljenosti uzorka od izvora zračenja,
- različitih intenziteta struje cevi za određeni kvalitet snopa
Rezultati su prikazani grafički i pokazuju kako napon polarizacije utiče na osetljivost diode u tri različite postavke. Kako bi se potvrdila tačnost merenja, dodatno su praćene karakteristike fotodiode pre, tokom i nakon ozračivanja, uključujući merenje strujno-naponske karakteristike i struje mraka.
Pored odziva fotodiode, merena je i jačina kerme u vazduhu pomoću elektrometra PTW Unidos Webline i jonizacione komore ExRadin A3. Pokazano je da PIN dioda ima linearan odziv bez obzira na kvalitet primenjenog snopa zračenja, što potvrđuje njen potencijal za primenu u sistemima za dozimetriju.
Detaljni rezultati i analiza nalaze se u završnom radu studentkinje Dunje Đorđević, realizovanog pod mentorstvom profesora dr. Gorana Ristića. Više informacija dostupno je na: https://doi.ub.kg.ac.rs/ieestec17/.