Dragi studenti,
Nastavni plan za 14.05.2020. obuhvata skup slajdova 197-211 i 218-230 iz dokumenta “EK_Predavanja_02.pdf” (Tema 13. prema Syllabus-u: MOS tranzistor).
Posebnu pažnju obratiti na sledeće:
- Princip rada, naročito formiranje invertovanog sloja (slajdovi 203-205)
- !!!Definicija napona praga!!! i pojam kanala (slajd 206)
- Za protok struje kroz tranzistor potrebno je da budu ispunjena dva uslova: 1. da je napon između gejta i sorsa veći od napona praga; 2. da postoji potencijalna razlika između drejna i sorsa.
- Kroz gejt MOS tranzistora ne teče struja, jer je silicijum dioksid dielektrik! Ovo je suštinska razlika u odnosu na bipolarni tranzistor. MOS tranzistor je naponski kontrolisana komponenta (kontrolni napon je VGS) , a bipolarni tranzistor je strujno kontrolisana komponenta (kontrolni parametar je struja baze IB).
- Oblasti rada (slajd 225)
- Uslov da MOS tranzistor bude u zasićenju (izraz (7) na slajdu 224) – važno za rešavanje zadataka!
- Posebna napomena: oblasti zasićenja kod bipolarnog i MOS tranzistora se samo isto zovu, inače nemaju veze jedna s drugom jer se fizički efekti koji ih uzrokuju potpuno razlikuju!
Za konsulatacije smo dostupni putem elektronske pošte (dragan.mancic@elfak.ni.ac.rs, zoran.prijic@elfak.ni.ac.rs). Molimo Vas da temu poruke (subject) ne ostavljate praznu – napišite, na primer, “Pitanje u vezi MOS tranzistora” i slično. Takođe Vas molimo da u potpisu poruke navedete svoje ime i prezime.
Pitanja možete postaviti bilo kome od profesora, nezavisno od grupe.
prof. dr Dragan Mančić
prof. dr Zoran Prijić